区域Array（Area array）

检查垫以格子状排列在芯片表面上。

Advanced Probe Card

悬臂型以外的探针卡的总称。

ASIC (Application Specific Integrated Circuit)

专用IC。

BGA（Ball Grid Array）

一种表面贴装型封装。一种封装，其中金属球或金属凸块以规则的间隔以格子形式排列在封装体的基底（底部）表面上，以便可以表面安装在印刷线路板上以形成外部端子。

焊盘（bonding pad）

通常通过引线执行向芯片供应电源电压和与外部交换信号。设置在芯片外围部分的金属电极用于将引线连接到内部电路的端子。

BIST（Built In Self Test）

内置自检功能。DFT（测试设施设计）之一。由于用于执行测试的功能被包含在IC中，因此可以容易地检查高速和多引脚IC。

焊点（bump）

通过电镀等在IC的电极上形成的突起。通常，它由金（Au）或焊料形成，用于flip chip的基板连接。

老化（burn-in）

一种消除半导体初始缺陷的分选技术。在施加温度和电压的操作状态下进行加速测试。

芯片/切片（chip/die）

半导细片。将半导体晶圆切割成一个个半导体器件。

CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor）

使用CMOS（互补金属氧化物半导体）的固态成像装置。与CCD图像传感器（图像拾取装置）类似，使用光电二极管（PD）。制造过程和信号读取方法不同。通过为每个单元电池提供放大器，可以抑制由于读取光学转换的电信号而产生的电噪声。

COF (Chip On Film)

一种超薄IC封装，其中IC芯片安装在薄膜形布线板上。

COG (Chip On Glass)

基于玻璃基板的产品，例如液晶显示器和配备有光电转换器件的封装，其中IC芯片直接安装在玻璃基板上。

CSP (Chip Size Package)

一种表面封装型Package。为了增加安装密度，使安装有IC芯片的封装基板具有与IC芯片相同的尺寸。

DFT (Design For Testability)

测试便利化设计,从设计的初期阶段开始就考虑到测试的便利性，结合测试电路等的设计方法。

DRAM (Dynamic Random Access memory)

一种挥发性存储器。除了计算机的主存储器之外，它还被广泛用作通用存储器。

DUT(Device Under Test)

要测试的对象品。

测试便捷性设计（DFT）

针对大规模的理论回路 , 采用在IC中进行测试的技术来提高故障检出率和缩短试验时间 。

倒装芯片（flip chip）

为了以高密度将IC芯片表面安装在布线板上，芯片在IC芯片的表面上的电极上具有称为凸块的凸块电极。布线板的突起和端子通过焊接或导电粘合剂彼此连接。

IC (Integrated circuit)

集成电路的通称。

LSI (Large Scale Integrated circuit)

大规模集成电路的通用名称。根据晶体管集成度的提高，它被称为VLSI或ULSI。

MCU (microcontroller unit)

中央处理单元（CPU），RAM，ROM，I/O接口电路等集成在一个芯片上以用作微型计算机。它也被称为“单片机”或“微控制器”。

MEMS (Micro Electro Mechanical System)

微型机电系统

MEMS型探针卡

利用MEMS技術的探针卡。Probe端子本身具有機械的動作構造。

微电脑（micro computer）

其中微处理器和用于执行计算处理的存储器集成在一个芯片中的IC。最近，经常指的是用于家用电器等的电子控制的装置。

混合信号（Mixed Signal）

模拟量和数字的混合电路。

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

场效应晶体管,是一种晶体管用于通过施加到栅电极的电压来控制源极端子和漏极端子之间的电流。

NAND闪存（NAND type Flash Memory）

一种不易挥发的存储器，其内容在没有外部电源的情况下不会消失。主要用于USB存储器，数码相机存储卡，便携式音乐播放器和移动电话的存储设备。东芝于1987年提案。

NOR闪存

一种不易挥发的存储器，其内容在没有外部电源的情况下不会消失。与NAND型闪存不同，可以通过在读取数据时以与RAM相同的方式通过指定地址来访问数据。由于数据非常可靠并且不需要NAND类型闪存所需的纠错（ECC），因此可用于高信赖性的路由器，打印机，GPS设备和车载设备等硬盘的环境中存储固件。不能使用诸如微型计算机等的高可靠性。

外围设备（peripheral）

外围设备是指端子布置在IC芯片的四个侧面上的状态。

SiC

碳化硅硅（Si）和碳（C）的化合物，是用于高功率器件等的半导体材料。。实现了导通电阻非常低的高耐压器件。

SoC（System on Chip）/系统LSI

一种大型IC，可在单个芯片上实现系统的大部分功能。通过组合多个IC形成的功能被集成到一个芯片中。可以实现小型和高性能设备。它主要由处理器，存储器，输入/输出电路，接口电路，通信电路等组成。

SRAM (Static Random Access Memory)

与DRAM 不同，它被称为“静态”，因为它不需要定期刷新（存储器保持操作）。虽然数据可以保持很短的时间，但是当电源停止时存储的数据会丢失。

晶圆（Wafer）

硅（Si），砷化镓（GaAs）等以圆柱形状结晶，把它切成圆形薄片的基板, 并且在基板的表面上形成半导体电子电路

晶圆测试/探针测试（Wafer Test/Probe Test）

通过探针接触在晶圆芯片上绑定的Pad,来进行电气试验。

WLCSP (Wafer Level Chip Size Package)

通过在切割晶圆之前形成端子，布线等，然后切割晶圆来形成CSP。

前制程

在制造半导体器件的过程中，通过工艺设备在晶圆上形成各个器件。它也被称为晶圆工艺。

最终测试/包装测试

在组装IC上进行电气测试。

半导体

像金属那样具有导电性的“导体”和类似玻璃的非导电的“绝缘体”之间具有导电性的物质。通过施加电压，光或热，具有电流流动或不流动的特性。

悬臂型探针卡

以探针单侧为支点来进行检测的探针卡。需要手动作业。

后制程

在LSI制造工艺中，在完成前制程（扩散处理）之后，将晶圆切割成芯片并密封在封装中。

垂直型探针卡

垂直对准基板的探针卡。适用于Area Array、小Pad、低電圧、低針圧、高周波数的測定。

阻抗

施加电压与流动电流的比率。单位为Ω（欧姆）。电压除以电流。

绑定

电连接IC芯片表面上的焊盘和带有金属线等的封装引线。

表面封装

用于将IC或电子元件安装（安装）在诸如印刷线路板的基板表面上的形式或技术。它也被称为SMT（Surface Mount Technology）。

裸芯片

没有封装的裸半导体芯片。刚刚从晶圆上切下的IC芯片。

非晶硅(Amorphous）

非晶:与完美晶体不同，它指的构成原子不规则排列是金属，非金属或半导体的状态，非晶硅用于FPD的薄膜晶体管（TFT），因为它具有半导体的特性并且可以比结晶质更容易成膜。

Array测试（Array Test）

TFT Array的检测。通过与面板接触驱动Gate,向像素写入电压。通过测量写入像素的电位或电荷量，检查像素电路或布线的是否存在缺陷。使用探针可进行信号线单独接触的电荷测量的测试，可以确定高感度缺陷的类型等，并且Takt time很短。

Array制程

通过重复的成膜，光刻和蚀刻的工艺在玻璃基板上形成TFT Array的工艺。

CCD(Charge Coupled Device)

带电耦合器件一种具有MOS结构的器件，其中大量传输电极排列在硅衬底表面上的氧化膜上，并具有自扫描功能和存储功能。有区域传感器（固态成像设备）等产品与光电二极管，线性传感器和信号延迟元件相结合。

Cell过程

进行用于使液晶分子与Array基板或滤光片基板对准的工艺，并且将这些基板贴合以密封液晶。

Cell/Cell面板

将TFT Array基板和滤光片基板彼此贴合，并且液晶材料被密封在基板之间的面板。

LCD (Liquid Crystal Display)

液晶显示器。

像素（pixel）

像素显示器和成像设备的功能单位。彩色显示器的红色（R），绿色（G）和蓝色（B）被称为一个像素。合成语pix（pic：picture）和element（element）。

良品率（Yield）

无缺陷产品的百分比。

Mura

显示区域不均匀。除了诸如亮度不均匀性，色度不均匀性，对比度差异和面积之类的因素之外，不均匀性的感知取决于人眼的视觉特性。

FPD (Flat Panel Display)

平板显示器。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

绝缘栅双极晶体管双极晶体管，其中MOSFET结合在栅极部分中，双极晶体管用于功率控制。

IGZO (Indium, Gallium, Zinc, Oxide)

由铟，镓，锌和氧制成的无定形半导体具有比非晶硅更高的迁移率和漏电流低的优点。

LTPS (Low Temperature Poly Silicon)

低温多晶硅在600℃以下的低温环境中形成。由于它可以在玻璃基板上形成，因此它具有可以以比高温多晶硅更低的成本制造的优点。

OLED (Organic Light Emitting Diodes)

有机EL。一种电流注入型发光二极管，其中电子和空穴从电极注入并在有机固体内重新组合以发光。发光体中使用有机材料。

SBD (Schottky Barrier Diode)

使用由金属和半导体之间的结合产生的肖特基障壁的二极管,具有开关速度快的优点。

TEG (Test Element Group)

是半导体IC或FPD Array的电路要素,晶体管，电容器和配线的各个要素的集合体，通过参数测试器，网络分析器等测量出来的要素的特性，并用于评估制造过程和设计验证。

TFT (Thin Film Transistor)

薄膜晶体管,一种类型的场效应晶体管,用于平板显示器的像素电路中。

TFT Array

在液晶OLED中，像素以矩阵排列，并且用于驱动每个像素的TFT以像像素一样的矩阵排列。这些TFT通常形成在基板上，称为TFT阵列。每个像素电路包括TFT，显示像素电极等，用于驱动TFT的栅极布线，用于传输要写入像素的电压的信号布线等垂直和水平延伸。

液晶

拥有像液体一样的流动性，兼具电气和光学结晶（固体）的特性。使用液晶作为光学快门的显示器被称为LCD。

彩色滤光片

用于在液晶显示器中产生图像色彩的滤光片。它由玻璃基板和彩色抗蚀剂组成，最常见的是红色（R），绿色（G）和蓝色（B），以形成一个像素。重复排列R，G和B图案，并且每个图案由格子形状的黑色矩阵（BM）围绕。

测试模式

在半导体检侧中 用于验证IC的动作而输入电气信号，并且是基于检查规范生成的。监视DUT的输出并与预期值进行比较以确定检查结果。在FPD检查中，显示用于检查显示器的显示质量的屏幕显示。显示红色，绿色，蓝色，白色，黑色，灰度等，以检测点缺陷，线缺陷，Mura等。

点灯测试

检查面板的动作状态。在显示屏上显示测试Pattern，并检查是否存在点缺陷，线缺陷，Mura等。操作员进行目视检查，使用CCD相机进行自动面板检查。

有机EL显示器

使用有机发光二极管的显示器。EL是指Electro-luminescence或电致发光。有机EL显示器具有诸如高对比度，宽视角和短响应时间的优点。

模组制程

将用于驱动Cell面板的，驱动器IC，配线,背光灯等的安装制程。